6月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強企業，同時也是現代功率半導體器件的開拓者，三菱電機攜19款功率模塊集體亮相。其中，7款備受矚目的新品在發布會上一一揭秘，吸睛無數。
三菱電機半導體首席技術官Dr. Gourab Majumdar、大中國區三菱電機半導體總經理楠·真一 、大中國區三菱電機半導體技術總監宋高升、大中國區三菱電機半導體市場總監錢宇峰、三菱電機捷敏功率半導體(合肥)有限公司技術服務中心總監商明、大中國區三菱電機半導體 公關宣傳主管閔麗豪悉數出席此次新品發布會。
自從在1996年推出DIPIPMTM后，截止到目前，三菱電機累計出貨量已超過5億顆，一個月產能達到720萬片，接下來，三菱電機還將進一步擴充產能。為了進一步鞏固三菱電機功率半導體在變頻家電市場的領先地位，三菱電機將依托位于合肥的功率半導體工廠和聯合實驗室，為中國客戶提供更好、更快的支持;而在鐵道牽引、電動汽車和工業新能源應用領域，三菱電機將持續性地聯合國內知名大學和專業設計公司，開發本地化的基于新型功率半導體的整體解決方案。
三菱電機功率器件在變頻家電、工業、新能源、軌道牽引、電動汽車、五大應用領域不斷創新，新品迭出。
在變頻家電領域，面向變頻冰箱和風機驅動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調和洗衣機的SLIMDIP-L智能功率模塊、表面貼裝型IPM有助于推動變頻家電實現小型化。
在工業應用方面，三菱電機第七代IGBT和第七代IPM模塊，首次采用SLC封裝技術，使得模塊的應用壽命大幅延長。在新能源發電特別是風力發電領域，今年推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊，有利于提升風電變流器的功率密度和性能價格比。
在軌道牽引應用領域，X系列HVIGBT安全工作區域度大、電流密度增加、抗濕度魯棒性增強，有助于進一步提高牽引變流器現場運行的可靠性。而在電動汽車領域，J1系列Pin-fin模塊具有封裝小、內部雜散電感低的特性。
在新品中，首次展出的表面貼裝型IPM尤其亮眼，該新品適用于家用變頻空調風扇、變頻冰箱、變頻洗碗機等電機驅動系統。三菱電機計劃于9月1日開始發售此產品。
據悉，這款產品將構成三相逆變橋的RC-IGBT(反向導通IGBT)、高電壓控制用IC、低電壓控制用IC，以及自舉二極管和自舉電阻等器件集成在一個封裝中。 該產品采用外型尺寸為15.2mm×27.4mm×3.3mm的表面封裝型，可以通過回流焊接裝置安裝到印刷電路板上去。
表面貼裝型IPM具有三大特性：一，通過表面貼裝，使系統安裝變得更容易;二，該產品通過內置控制IC以及最佳的引腳布局，在實現系統的小型化并使基板布線簡化方面具有積極意義;三，而通過內置保護功能，可以幫助提高系統的設計自由度，這是第三大特性。
宋高升表示，2018年，三菱電機將在以上五大領域，強化新產品的推廣和應用力度。在變頻家電領域，三菱電機將在分體式變頻空調和變頻洗衣機中擴大和強化SLIMDIP-L的應用，在空調風扇和變頻冰箱中逐步擴大SLIMDIP-S的應用，在更小功率的變頻家電應用中逐步推廣使用表面封裝型IPM。在中低壓變頻器、光伏逆變器、電動大巴、儲能逆變器、SVG、風力發電等應用中，三菱電機將強化第7代IGBT模塊的市場拓展;而在電動乘用轎車領域，三菱電機將為客戶提供電動汽車專用模塊和整體解決方案;在軌道牽引領域，將最新的X系列HVIGBT的推廣到高鐵、動車、地鐵等應用領域。
六十年以來，三菱電機之所以能夠一直保持行業領先地位在于持續性和創新性的研究與開發。在功率半導體最新技術發展方面，IGBT芯片技術一直在進步。
SiC作為下一代功率半導體的核心技術方向，與傳統Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優勢是開關損耗大幅減小。對于特定逆變器應用，這種優勢可以減小逆變器尺寸，提高逆變器效率及增加開關頻率。目前，基于SiC功率器件逆變設備的應用領域正在不斷擴大。但受制于成本因素，目前SiC功率器件市場滲透率很低，隨著技術進步，碳化硅成本將快速下降，未來將是功率半導體市場主流產品。
三菱電機從2013年開始推出第一代碳化硅功率模塊，事實上，早在20多年前，三菱電機就開始了針對SiC技術的開發;2015年開始，SiC功率器件開始進入眾多全新應用領域，同年，第一款基于全SiC的功率模塊，并由三菱電機開發的機車牽引系統在日本新干線安裝使用。其SiC功率模塊產品線涵蓋額定電流15A~1200A及額定電壓600V~3300V，目前均可提供樣品。
由于碳化硅需求量急速增長，2017年，三菱電機投資建造6英寸晶圓生產線，配合新技術來縮少芯片尺寸，目前該產線的建設正按計劃推進中。
電力電子行業對功率器件的要求更多地體現在提升效率與減小尺寸功率密度方面，因此新型SiC mosFET功率模塊將獲得越來越多的應用。為了滿足功率器件市場對噪聲低、效率高、尺寸小和重量輕的要求，三菱電機一直致力于研究和開發高技術產品。正在加緊研發新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技術， 該技術將進一步改善短路耐量和導通電阻的關系，并計劃在2020年實現新型SiC MOSFET模塊的商業化。
